• Sections
  • H - électricité
  • H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
  • H01L 27/11582 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par des agencements tridimensionnels, p.ex. avec des cellules à des niveaux différents de hauteur la région de source et la région de drain étant à différents niveaux, p.ex. avec des canaux inclinés les canaux comprenant des parties verticales, p.ex. canaux en forme de U

Détention brevets de la classe H01L 27/11582

Brevets de cette classe: 6037

Historique des publications depuis 10 ans

52
260
644
614
850
1137
1121
881
609
79
2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024

Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Samsung Electronics Co., Ltd.
131630
1158
Kioxia Corporation
9847
1000
Sandisk Technologies LLC
5684
872
Micron Technology, Inc.
24960
817
SK Hynix Inc.
11030
582
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
1940
576
Macronix International Co., Ltd.
2562
174
Applied Materials, Inc.
16587
87
Lodestar Licensing Group LLC
583
78
Sunrise Memory Corporation
192
66
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
36809
57
Tokyo Electron Limited
11599
54
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
10902
38
Intel NDTM US LLC
373
33
Toshiba Memory Corporation
255
28
Lam Research Corporation
4775
27
IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University)
1115
24
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
1290
20
Intel Corporation
45621
19
ASM IP Holding B.V.
1715
19
Autres propriétaires 308